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MJE15033G中文资料

MJE15033G图片

MJE15033G外观图

  • 大小:75.3KB
  • 厂家:ON Semiconductor
  • 描述: TRANSISTOR, PNP, TO-220; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:250V; Power Dissipation Pd:50mW; DC Collector Current:8A; DC Current Gain hFE:30; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Alternate Case Style:SOT-78B; Av Current Ic:1A; Collector Emitter Voltage Vces:-500mV; Continuous Collector Current Ic Max:8A; Current Ic Continuous a Max:8A; Current Ic hFE:1A; Device Marking:MJE15033; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Min:30MHz; Gain Bandwidth ft Typ:30MHz; Hfe Min:50; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-220; Power ...
  • 标准包装:50
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):8A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):250V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 100mA,1A
  • 电流 - 集电极截止(最大):-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):10 @ 2A,5V
  • 功率 - 最大:2W
  • 频率 - 转换:30MHz
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商设备封装:TO-220AB
  • 包装:管件
  • 其它名称:MJE15033GOS

MJE15033G供应商

更新时间:2023-01-08 19:48:24
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